时间：2025/6/3 20:13:19
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AUIRF7669L2TR是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道功率MOSFET，专为汽车级应用设计。该器件采用TO-263-3（D2PAK）封装形式，具有极低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。
该芯片通过AEC-Q101认证，确保其能够在恶劣的汽车环境下稳定运行。同时，其优异的热性能和电气特性使其成为许多汽车电子系统中的关键元件。
型号：AUIRF7669L2TR
封装：TO-263-3 (D2PAK)
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：3.8mΩ
Id（连续漏极电流）：148A
Vgs（栅源电压）：±20V
功耗：152W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装类型：表面贴装
AUIRF7669L2TR是一款高性能的汽车级MOSFET，主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为3.8mΩ，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 高电流处理能力，支持高达148A的连续漏极电流，适用于大功率应用。
3. 宽工作温度范围（-55℃至+175℃），能够适应汽车环境下的极端温度条件。
4. 符合AEC-Q101标准，确保在汽车应用中的可靠性。
5. 热增强型D2PAK封装，提供卓越的散热性能。
6. 具有出色的抗雪崩能力和ESD保护功能，提升了系统的鲁棒性。
AUIRF7669L2TR广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子系统中的DC-DC转换器和负载开关。
2. 电动车窗、座椅调节和其他车身控制模块中的电机驱动电路。
3. 高效开关电源和逆变器。
4. 工业和消费类应用中的大电流开关。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。
6. 各种需要高电流、低损耗的功率转换场合。
IRF7669L2TR, AUIRF7669L2
