时间：2025/9/14 0:13:51
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BUK9660-100A,118 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和负载开关等高效率功率系统中。该器件采用先进的 Trench MOS 技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），以减少导通损耗并提高系统效率。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：100 V
栅源电压 Vgs：±20 V
连续漏极电流 Id（@25°C）：120 A
功耗（Ptot）：300 W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220AB
导通电阻 Rds(on)（@ Vgs = 10 V）：5.7 mΩ
阈值电压 Vgs(th)：2.1 V（@ Id = 250 μA）
输入电容 Ciss：3300 pF
反向恢复时间 trr：50 ns
BUK9660-100A,118 以其卓越的导通性能和低开关损耗著称，特别适用于高效率功率转换系统。其导通电阻在 Vgs = 10V 时仅为 5.7 mΩ，这在同类型 MOSFET 中处于领先水平，有助于显著降低传导损耗，提高整体系统效率。该器件支持高达 120A 的连续漏极电流，能够胜任大功率负载的驱动需求。其采用先进的 Trench MOS 工艺，优化了开关性能，降低了开关损耗，从而在高频应用中表现优异。此外，该 MOSFET具备良好的热稳定性，工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适应各种严苛的工业和汽车环境。TO-220AB 封装具有良好的散热能力，同时兼容标准 PCB 安装工艺，便于工程师进行热管理和布局设计。内置的体二极管具备快速反向恢复特性（trr = 50ns），在同步整流和电机驱动等需要频繁换向的场景中表现优异。该器件还具有良好的雪崩能量耐受能力，提高了在高能瞬态条件下的可靠性。BUK9660-100A,118 的栅极驱动电压范围宽广（±20V），兼容主流的栅极驱动 IC，同时具备较低的阈值电压（约 2.1V），支持低电压控制电路直接驱动。这些特性使该 MOSFET 成为电源转换器、电机控制、工业自动化和汽车电子等领域的理想选择。
BUK9660-100A,118 常用于各种高功率和高效率的电子系统中，如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、负载开关、工业电源模块以及汽车电子中的功率控制单元。其优异的导通性能和高电流能力使其特别适合于高功率密度设计，如服务器电源、通信设备电源、UPS 系统、太阳能逆变器和电动工具控制器等。此外，在新能源汽车的 OBC（车载充电机）、DC-DC 转换模块和电驱系统中也有广泛应用。
IRF1405, SiS430DN, IPB017N10N3, STP120N10F7AG
