型号：SHS110-Q
　　类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：10A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（@8.3ms单半正弦波）
　　正向电压降（VF）：0.87V（典型值，@IF=10A, TJ=25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA（@TJ=25°C）, 1.0mA（@TJ=125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　安装方式：表面贴装（SMD）

SHS110-Q的核心优势在于其采用肖特基势垒结构，实现了极低的正向导通压降，典型值仅为0.87V，在10A电流下大幅降低了导通损耗，提升了电源系统的整体效率。这一特性对于高密度电源设计尤为重要，尤其是在DC-DC降压转换器或同步整流替代方案中，能够有效减少发热，降低散热需求，从而节省空间和成本。同时，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具有极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间（trr），这使得它在高频开关应用中表现优异，不会产生明显的反向恢复电流尖峰，减少了电磁干扰（EMI）和开关损耗。
　　该器件具备高达150A的峰值浪涌电流承受能力，能够在瞬态负载或开机冲击电流条件下保持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。TO-252封装不仅支持表面贴装工艺，还通过外露焊盘设计实现高效的热传导，配合适当的PCB布局（如大面积铜箔或散热过孔），可将热阻（RθJA）控制在较低水平，确保长时间大电流工作下的热稳定性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车级应用环境，具备良好的温度适应性和长期可靠性。此外，SHS110-Q通过了AEC-Q101车规认证的可能性较高（需查证具体批次），进一步拓展了其在车载电源、LED驱动和电机控制等严苛环境中的应用前景。
　　从制造工艺角度看，Shindengen在肖特基二极管领域拥有深厚积累，SHS110-Q在金属接触工艺和钝化层设计上进行了优化，有效抑制了高温下的漏电流增长，提升了器件的长期稳定性。同时，产品一致性高，批量使用时参数离散性小，有利于大规模生产中的质量控制。其无铅且符合RoHS指令的设计也顺应了全球绿色电子的发展趋势，适用于出口型或环保要求高的终端产品。

SHS110-Q常用于各类中高功率开关电源系统中，作为输出整流二极管，特别是在12V至48V的DC-DC转换器中表现突出。例如，在服务器电源、通信电源模块、工业电源单元中，该器件可用于次级侧整流，替代传统快恢复二极管以提升效率。在太阳能逆变器和UPS不间断电源系统中，SHS110-Q可用于防反接保护或旁路整流功能，利用其低VF和高电流能力降低能量损耗。此外，在电动汽车的辅助电源系统（如DC-DC转换器）和车载充电机中，该器件也具备应用潜力，得益于其良好的热性能和可靠性。
　　在LED照明驱动电源中，尤其是大功率户外LED灯具所用的恒流电源，SHS110-Q可作为续流二极管使用，在电感储能释放阶段提供低损耗通路，提高驱动效率并减少发热。在电机驱动电路中，该二极管可用作续流或钳位二极管，保护MOSFET或IGBT免受反电动势损坏。由于其表面贴装封装，SHS110-Q也适用于需要自动化贴片生产的消费类电子产品电源板，如高端电视、显示器电源模块等。在电池充电管理电路中，可用于防止电池反向放电，确保系统安全。其高浪涌电流能力也使其适合用于存在启动冲击电流的电源输入端，作为初级整流或保护元件。

MBR10100CT