时间：2025/4/29 11:59:11
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TLE4286G是一种高性能的霍尔效应传感器集成电路，主要用于汽车和工业应用中的位置检测和速度测量。该器件能够提供与磁场强度成比例的电压输出，并且具有较宽的工作温度范围以及高可靠性，非常适合在恶劣环境下使用。
其设计基于先进的BiCMOS技术，集成了信号调节电路、温度补偿电路以及保护电路等功能模块，从而确保了在各种工作条件下的稳定性和精确性。
供电电压：5V ± 0.5V
工作温度范围：-40℃ 至 +170℃
输出类型：模拟电压输出
静态电流：最大15mA
带宽：10kHz
灵敏度：5mV/Gs（典型值）
TLE4286G采用霍尔效应原理进行磁场感应，具备高灵敏度和低噪声的特点。
它内部集成了多种功能模块，包括用于优化输出特性的信号调节电路，可以有效减少外部干扰对测量精度的影响。
同时，该芯片还具有出色的温度稳定性，通过内置的温度补偿机制，能够在较宽的温度范围内保持一致的性能表现。
此外，其封装形式专为汽车级应用设计，符合AEC-Q100标准，确保长期使用的可靠性和安全性。
TLE4286G支持表面贴装工艺，便于大规模自动化生产，进一步降低了制造成本。
TLE4286G广泛应用于需要精确磁场测量的各种场景，特别是在汽车行业。
典型应用包括但不限于：
- 发动机凸轮轴和曲轴位置传感器
- 自动变速箱速度传感器
- 车辆防抱死制动系统（ABS）中的轮速传感器
- 工业设备中的非接触式位置检测
- 流量计和其他需要精确测量运动或位置的装置
由于其优异的性能和可靠性，TLE4286G成为这些领域中不可或缺的关键组件。
TLE4935L, TLE4930G
