HY6264ALLJ-10 时间：2025/9/2 13:50:13 阅读：9

HY6264ALLJ-10 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为8K x 8位，即总共64千位（64Kbit）。该芯片采用高速CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问特性，适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备。该封装为28引脚SSOP（小型外封装），适合高密度PCB布局。

参数

容量：64Kbit（8K x 8位）
　　访问时间：10ns
　　电源电压：5V
　　封装类型：28引脚SSOP
　　工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级）
　　接口类型：并行接口
　　读写操作：异步SRAM
　　功耗（典型）：约100mA（工作模式）

特性

HY6264ALLJ-10 是一款高性能异步SRAM芯片，采用高速CMOS技术制造，确保了低延迟和快速访问时间（10ns）。其主要特性包括低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低，适用于对功耗敏感的应用。该芯片具有宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C），符合工业级标准，适用于各种严苛环境下的设备。此外，其28引脚SSOP封装形式使得在紧凑型电路板上安装更为方便，同时减少了PCB布局的复杂性。由于采用异步接口，该芯片不需要时钟信号同步，简化了与微控制器或嵌入式系统的连接过程，提高了系统的兼容性和灵活性。其高可靠性和稳定性使其成为工业控制、网络设备、通信模块以及医疗设备中的理想选择。

应用

HY6264ALLJ-10 主要用于需要快速数据存储和访问的场合。例如，在嵌入式系统中作为缓存或临时数据存储器使用，适用于工业自动化设备、PLC（可编程逻辑控制器）、测试测量仪器、网络交换设备、打印机和传真机等办公自动化设备。此外，该芯片也广泛应用于消费类电子产品中，如高端游戏机、智能家电和音频处理设备等。由于其低功耗和宽温特性，也适用于户外设备或工业现场的控制系统中。