H5TC2G83CFR-G7C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片采用DDR3 SDRAM技术,容量为2Gbit(256MB),适用于需要高性能内存解决方案的应用场景。H5TC2G83CFR-G7C以其高带宽和低延迟特性著称,广泛应用于网络设备、工业控制、嵌入式系统等领域。
类型:DRAM
技术:DDR3 SDRAM
容量:2Gbit (256MB)
组织结构:x8, x16
电压:1.35V - 1.5V
封装类型:FBGA
引脚数:54pin
工作温度:-40°C ~ +85°C
频率:最高支持800MHz
数据速率:1600Mbps
H5TC2G83CFR-G7C 具备多种优良特性,包括高存储密度、高速数据传输能力以及低功耗设计。这款DDR3 SDRAM芯片的工作电压为1.35V至1.5V,支持低电压运行,有助于降低系统整体功耗。
其最大数据速率为1600Mbps,提供高达800MHz的时钟频率,满足对数据吞吐量有高要求的应用场景。此外,H5TC2G83CFR-G7C 采用54引脚FBGA封装,体积小巧,便于在空间受限的设备中集成。
该芯片的组织结构支持x8和x16两种模式,提高了在不同系统架构中的兼容性和灵活性。其宽工作温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在各种恶劣环境中稳定运行。
此外,H5TC2G83CFR-G7C 还支持多种功能,如自动刷新、自刷新、突发长度控制、延迟锁定环(DLL)等,以确保在高速运行时的数据完整性与时序稳定性。
H5TC2G83CFR-G7C 主要应用于需要高性能内存支持的设备和系统,如路由器、交换机、工业控制设备、嵌入式系统、网络设备、视频处理设备以及消费类电子产品。由于其高带宽和低延迟特性,它也适用于图形处理和缓存存储等对内存性能要求较高的场景。此外,该芯片在通信设备中广泛用于数据缓存和临时存储,为系统提供快速的数据访问能力。
H5TC2G83CFR-G7C的替代型号包括:H5TC2G83CMR-G7C、H5TC2G83CFR-PBA、H5TC2G83CFR-G7E、H5TC2G83CFR-G7N、H5TC2G83CFR-G7S、H5TC2G83CFR-G7U