时间：2025/4/29 18:27:57
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NANDA8R3N0AZBB5E 是一款由三星（Samsung）生产的高性能、大容量的 NAND 闪存芯片，广泛应用于存储设备中。该型号采用先进的制程工艺制造，具备高可靠性和低功耗的特点。它主要用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储和移动设备等场景。
容量：256GB
接口类型：Toggle DDR 3.0
工作电压：1.8V
数据传输速率：400MT/s
封装形式：BGA
I/O 引脚数：8-bit
擦写寿命：3000 次（典型值）
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
存储温度范围：-40°C 至 +105°C
NANDA8R3N0AZBB5E 是基于三星 V-NAND 技术的存储芯片，具有三维堆叠结构，相比传统平面 NAND 提供了更高的存储密度和性能。
该芯片支持 Toggle DDR 3.0 接口协议，确保了高速的数据传输能力，并优化了延迟表现。
其低功耗设计使其非常适合对能效要求较高的应用环境，例如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。
此外，该芯片内置 ECC（Error Correction Code）引擎，能够有效提升数据的可靠性和存储寿命。
其宽泛的工作温度范围使得它能够在各种苛刻环境下正常运行，从而满足工业级和消费级应用的需求。
NANDA8R3N0AZBB5E 芯片适用于多种存储相关应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD），作为主要的存储介质，提供快速读写性能。
2. 嵌入式系统，如汽车电子、智能家居设备和工业控制单元中的存储解决方案。
3. 移动设备，如智能手机和平板电脑的内部存储模块。
4. 外置 USB 存储设备或存储卡，为消费者提供大容量便携存储选择。
由于其高可靠性，该芯片也被广泛应用于需要长时间数据保存的关键任务场景中。
K9WBG0R8BB0, TLC4R3N0AZBB5E
