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TISP4180H4BJR-S 发布时间 时间:2025/12/28 19:10:30 查看 阅读:32

TISP4180H4BJR-S 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的瞬态电压抑制器(TVS)阵列芯片,专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌等瞬态电压的损害而设计。该器件采用 4 通道配置,适用于多种需要高可靠性电路保护的应用场合,例如通信接口、消费类电子产品和工业控制系统等。TISP4180H4BJR-S 使用先进的硅雪崩二极管技术,确保在瞬态电压事件期间能够快速响应并吸收高能量,从而保护后端电路免受损坏。

参数

类型:瞬态电压抑制器(TVS)阵列
  通道数:4
  工作电压:3.3V 至 24V 可选
  最大反向关态电压(VRWM):依据型号配置可变
  钳位电压(Vc):最高可达 30V
  最大峰值脉冲电流(Ipp):5A(每个通道)
  响应时间:小于 1ns
  封装形式:SOT-323-6
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C

特性

TISP4180H4BJR-S 的核心特性之一是其卓越的瞬态电压抑制能力,能够在极短时间内将高能量瞬态电压引导到地,从而保护连接的电路。该器件的响应时间极短(小于 1 纳秒),使其能够有效应对 ESD 和 EFT 事件,减少对后端设备的影响。
  另一个显著特点是其多通道设计,提供了 4 个独立的保护通道,非常适合用于多信号线或接口的防护,例如 USB、HDMI、RS-485 等。每个通道的独立保护能力确保了系统的整体可靠性,即使在某一通道发生故障时也不会影响其他通道的正常运行。
  此外,TISP4180H4BJR-S 采用 SOT-323-6 小型封装,节省 PCB 空间,同时具备良好的热稳定性和耐久性。其宽泛的工作电压范围(3.3V 至 24V)使得该器件能够适应多种应用需求,从低压数字电路到较高电压的工业控制系统均适用。
  该 TVS 阵列还具有低漏电流的特点,在正常工作条件下对电路性能的影响极小。同时,其高可靠性设计使其能够在极端环境条件下(如高温或低温)保持稳定的性能。

应用

TISP4180H4BJR-S 广泛应用于需要高可靠性和高抗扰度的电子系统中。常见应用包括通信设备(如路由器、交换机和基站)、消费类电子产品(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备)以及工业自动化设备(如 PLC、传感器和工业控制器)。
  在通信设备中,该器件常用于保护以太网接口、USB 接口、RS-232/RS-485 接口等关键信号线路,防止因 ESD 或其他瞬态电压导致的数据传输中断或设备损坏。在消费类电子产品中,TISP4180H4BJR-S 被广泛用于保护显示屏接口、音频接口和充电端口,提高设备的耐用性和用户体验。
  在工业控制系统中,该器件则用于保护 I/O 接口、现场总线接口和传感器输入端口,确保在恶劣工业环境中设备的稳定运行。此外,它也适用于汽车电子系统中的 CAN 总线保护、诊断接口保护等应用场景,提升车辆电子系统的可靠性和安全性。

替代型号

PESD4USB11-S, ESDA6V1W5B, TPD4E001B04

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TISP4180H4BJR-S参数

  • 制造商Bourns
  • 产品种类硅对称二端开关元件
  • 最大转折电流 IBO60 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM145 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)0.005 mA
  • 正向电压下降3 V at 5 A
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DO-214AA
  • 最小工作温度- 40 C
  • 工厂包装数量3000