H5TC2G63FFR-RDA 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其高性能内存产品线。这款芯片采用FBGA(细间距球栅阵列)封装,适用于需要快速数据访问和大容量内存的应用场景。H5TC2G63FFR-RDA 的容量为256MB(2Gbit),工作电压为1.35V,属于低功耗DDR3(LPDDR3)系列。该内存芯片广泛用于移动设备、嵌入式系统、图形处理器(GPU)以及高性能计算设备中。
容量:2Gbit(256MB)
类型:DRAM(LPDDR3)
封装:FBGA
工作电压:1.35V
接口:x32
时钟频率:667MHz
数据速率:1333Mbps
温度范围:-40°C ~ +85°C
H5TC2G63FFR-RDA 是一款高性能、低功耗的LPDDR3 SDRAM芯片,专为移动设备和嵌入式系统设计。该芯片采用了先进的DRAM技术,能够在较低的电压(1.35V)下运行,从而有效降低功耗,延长设备的电池续航时间。其封装形式为FBGA,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合在紧凑的PCB布局中使用。
H5TC2G63FFR-RDA 的数据速率可达1333Mbps,支持高带宽数据传输,适用于需要快速处理大量数据的应用场景,如智能手机、平板电脑、图形加速器和嵌入式多媒体系统。此外,该芯片支持温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种工业级工作环境。
该内存芯片还具备良好的兼容性,能够与多种处理器和控制器无缝配合,提供稳定可靠的数据存储与访问功能。其内部结构采用x32的数据总线宽度,进一步提升了数据传输效率,满足高性能计算和实时数据处理的需求。
H5TC2G63FFR-RDA 广泛应用于需要高性能、低功耗内存的电子设备中,如智能手机、平板电脑、嵌入式系统、图形加速卡、网络设备和工业控制系统等。由于其高带宽和低电压特性,它特别适合用于移动计算设备和电池供电系统。
H5TC2G63FFR-PBA, H5TC2G63FFR-H9A, H5TC2G63FFR-80A