时间：2025/9/2 4:42:56
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H5TC2G63FFR-RDA 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高性能内存产品线。这款芯片采用FBGA（细间距球栅阵列）封装，适用于需要快速数据访问和大容量内存的应用场景。H5TC2G63FFR-RDA 的容量为256MB（2Gbit），工作电压为1.35V，属于低功耗DDR3（LPDDR3）系列。该内存芯片广泛用于移动设备、嵌入式系统、图形处理器（GPU）以及高性能计算设备中。
容量：2Gbit（256MB）
类型：DRAM（LPDDR3）
封装：FBGA
工作电压：1.35V
接口：x32
时钟频率：667MHz
数据速率：1333Mbps
温度范围：-40°C ~ +85°C
H5TC2G63FFR-RDA 是一款高性能、低功耗的LPDDR3 SDRAM芯片，专为移动设备和嵌入式系统设计。该芯片采用了先进的DRAM技术，能够在较低的电压（1.35V）下运行，从而有效降低功耗，延长设备的电池续航时间。其封装形式为FBGA，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在紧凑的PCB布局中使用。
H5TC2G63FFR-RDA 的数据速率可达1333Mbps，支持高带宽数据传输，适用于需要快速处理大量数据的应用场景，如智能手机、平板电脑、图形加速器和嵌入式多媒体系统。此外，该芯片支持温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种工业级工作环境。
该内存芯片还具备良好的兼容性，能够与多种处理器和控制器无缝配合，提供稳定可靠的数据存储与访问功能。其内部结构采用x32的数据总线宽度，进一步提升了数据传输效率，满足高性能计算和实时数据处理的需求。
H5TC2G63FFR-RDA 广泛应用于需要高性能、低功耗内存的电子设备中，如智能手机、平板电脑、嵌入式系统、图形加速卡、网络设备和工业控制系统等。由于其高带宽和低电压特性，它特别适合用于移动计算设备和电池供电系统。
H5TC2G63FFR-PBA, H5TC2G63FFR-H9A, H5TC2G63FFR-80A
