时间：2025/8/16 5:04:41
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RF5228TR13-5K 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）制造的射频功率晶体管，属于 N 沟道增强型 GaN（氮化镓）场效应晶体管。该器件专为高频、高功率应用而设计，适用于蜂窝基站、无线基础设施、雷达系统以及工业和科学设备等高要求的射频功率放大器场景。RF5228TR13-5K 提供了卓越的功率密度和高效率，使其成为现代射频系统中不可或缺的组件。
类型：N 沟道 GaN FET
工作频率：2.3 GHz 至 2.7 GHz
输出功率：28W（典型值）
增益：约 20 dB（典型值）
效率：约 65%（典型值）
电源电压：28V
封装类型：表面贴装（SMT），5mm x 7mm 塑料封装
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
RF5228TR13-5K 是一款基于 GaN 技术的射频功率晶体管，具有出色的性能和可靠性。其主要特性包括高频操作能力，适用于 2.3 GHz 至 2.7 GHz 的广泛频段，使其适用于多种无线通信标准，如 LTE、WiMAX 和 5G 前端系统。该器件的输出功率可达 28W，增益为 20dB 左右，并且具有较高的功率附加效率（PAE），通常可达 65% 以上，这有助于减少系统的散热需求和功耗。此外，RF5228TR13-5K 采用紧凑的表面贴装封装，尺寸为 5mm x 7mm，便于集成到现代射频模块和 PCB 设计中。该封装还具备良好的热管理和机械稳定性，确保在高功率运行下的长期可靠性。该器件的工作温度范围较宽，从 -40°C 到 +150°C，适合在各种恶劣环境中使用，例如工业和军事应用。由于 GaN 技术的固有优势，RF5228TR13-5K 在高频下仍能保持较高的电子迁移率和较低的导通损耗，使其在高功率放大器设计中具有显著优势。
RF5228TR13-5K 主要用于高性能射频功率放大器的设计，广泛应用于蜂窝基站、无线基础设施、雷达系统、测试设备和工业控制系统等领域。其高频特性和高效率使其成为 4G/5G 移动通信系统中的理想选择，特别是在需要高线性和高输出功率的应用场景中。此外，它还可用于卫星通信、宽带无线接入和军用通信设备。
RF5228TR13-5K 的替代型号包括 Cree/Wolfspeed 的 CGH40025 和 NXP 的 MRFE6VP28400HR6。这些型号同样具备 GaN 技术的优势，适用于类似的射频功率放大器应用场景。
