G1C2R2MA0072 时间：2025/4/28 16:32:29 阅读：2

G1C2R2MA0072 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，主要用于开关和放大电路中。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性等优点，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器等领域。
　　该器件采用先进的制造工艺，能够提供卓越的电气性能，同时支持表面贴装技术（SMT），便于大规模自动化生产。其封装形式通常为 TO-252 或 DPAK，具体取决于制造商的设计规范。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：30A
　　导通电阻：2mΩ
　　总功耗：90W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　栅极电荷：45nC
　　反向恢复时间：40ns

特性

G1C2R2MA0072 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高效率。
　　2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
　　3. 出色的热稳定性，能够在高温环境下长期可靠运行。
　　4. 良好的抗静电能力（ESD 保护），增强了器件的耐用性。
　　5. 支持大电流负载，适用于需要高功率输出的应用场景。
　　6. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，满足现代电子产品对紧凑设计的需求。

应用

这款 MOSFET 器件适用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
　　2. DC-DC 转换器及升压/降压模块。
　　3. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
　　4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
　　5. 工业自动化设备中的负载切换。
　　6. 电动汽车和混合动力汽车的动力管理系统。
　　7. 各类保护电路，如过流保护和短路保护。