时间：2025/10/8 8:55:21
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TISP4015H1BJR是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的瞬态抑制保护二极管阵列器件，专为高速数据接口和敏感电子电路提供可靠的静电放电（ESD）和电气快速瞬变（EFT）保护。该器件属于TISP系列，采用先进的硅压敏技术，能够在极短时间内响应过压事件，将瞬态电压钳位至安全水平，从而有效防止下游集成电路因瞬态高压而损坏。TISP4015H1BJR特别适用于需要高信号完整性和低电容特性的应用场景，例如通信端口、USB接口、HDMI线路以及其他高速模拟或数字信号路径。其封装形式为SOT-23-6L，体积小巧，适合在空间受限的便携式设备中使用。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。由于其低动态电阻和快速响应时间，TISP4015H1BJR能够在不显著影响正常信号传输的前提下，提供高达±15kV的空气和接触ESD防护能力，满足IEC 61000-4-2 Level 4标准要求。
型号：TISP4015H1BJR
制造商：STMicroelectronics
封装类型：SOT-23-6L
通道数：4
工作电压（VRWM）：15V
击穿电压（VBR）：17V（最小值）
最大钳位电压（VC）：28V（在IPP=1A条件下）
峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs波形）
寄生电容（典型值）：1.5pF（每通道）
ESD防护能力：±15kV（IEC 61000-4-2，空气与接触放电）
反向漏电流（IR）：≤1μA（在VRWM下）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
TISP4015H1BJR具备卓越的瞬态抑制性能，能够对静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）以及雷击感应等瞬态过压事件做出亚纳秒级响应。其核心优势在于极低的结电容（典型值仅为1.5pF），这使得它非常适合用于高速数据线保护，如USB 2.0、HDMI、DisplayPort、SD卡接口等，在这些应用中，传统TVS二极管可能因较高电容引入信号失真或衰减。该器件采用双向保护结构设计，允许在正负方向上均能有效钳制过压，适用于交流或双极性信号线路。其内部集成四个独立的保护通道，每个通道均可独立工作，便于多线路同时保护，提升系统集成度并减少PCB布局面积。
TISP4015H1BJR具有非常低的动态电阻，这意味着在发生ESD事件时，其钳位电压上升缓慢且幅度较低，从而为后级IC提供更温和的电压环境，降低损坏风险。该器件还表现出优异的热稳定性和长期可靠性，即使在频繁遭受ESD冲击的情况下也能保持性能不变。其SOT-23-6L封装不仅节省空间，而且兼容标准表面贴装工艺，便于自动化生产。此外，该器件符合国际电磁兼容性（EMC）标准，包括IEC 61000-4-2（ESD抗扰度）、IEC 61000-4-4（EFT抗扰度）等，适用于工业、消费类及便携式电子产品中的关键接口保护。由于其低漏电流特性（≤1μA），不会对正常工作电路造成额外负载，尤其适合电池供电设备以延长待机时间。
TISP4015H1BJR广泛应用于各类需要高等级ESD保护的电子设备中，尤其是在高速数据接口领域表现突出。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的USB Type-A或Type-C端口保护；HDMI、MHL视频输出接口的瞬态防护；SD/MMC存储卡插槽的数据线保护；以及工业控制系统的通信端口如RS-485、CAN总线等。在可穿戴设备中，由于其小型化封装和低功耗特性，也被用于保护传感器信号线和无线模块连接器。此外，该器件还可用于音频耳机插孔、触摸屏控制器引脚、摄像头模组FPC连接线等对信号完整性要求较高的场合。在汽车电子中，尽管其工作温度上限为+125°C，但仍可用于部分非引擎舱内的车载信息娱乐系统接口保护。由于其符合严格的国际EMC标准，因此也常见于医疗设备、测试仪器和电信基础设施设备中，确保系统在恶劣电磁环境中仍能稳定运行。
ESD9L5.0ST5G
SP1203-01UTG
TPD4S012
ULC0524P
