类型：可控硅整流器
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：800V
　　最大平均通态电流（IT(AV)）：200A
　　门极触发电压（VGT）：1.5V 至 3.0V
　　门极触发电流（IGT）：50mA 至 150mA
　　维持电流（IH）：200mA
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：TO-200

3R200TB-8F具有高耐压和大电流承载能力，适用于需要高可靠性和稳定性的工业控制场合。其快速导通特性使得在高功率应用中能够实现高效的能量转换。此外，该器件具备良好的热稳定性和过载能力，能够在严苛的电气环境下稳定运行。其TO-200封装设计有助于散热，确保在高负载条件下的长期可靠性。
　　该可控硅的控制方式为门极触发，通过调节门极信号可以实现对输出功率的精确控制。此外，其反向恢复时间短，有助于减少开关损耗，提高系统效率。3R200TB-8F还具备较强的抗干扰能力，适用于电磁环境复杂的工业现场。
　　在结构设计上，该器件采用了高纯度半导体材料，降低了通态压降，提高了导通效率。同时，其内部结构优化了电流分布，减少了局部过热的风险，从而延长了器件的使用寿命。

3R200TB-8F广泛应用于电力电子领域，如交流电机控制、电力调节器、电焊机、UPS不间断电源、变频器以及工业加热设备等。在这些应用中，它能够实现对交流电的有效控制和整流，确保系统的高效运行。此外，该器件也适用于自动化控制系统的电源部分，用于调节和稳定输出电压或电流，提高设备的运行稳定性和能效。
　　在工业自动化设备中，3R200TB-8F常用于调压调速控制、电炉温度控制、电镀电源调节等场合。其高可靠性也使其适用于高功率负载的开关控制，如大型风机、泵类设备的启停控制。此外，在能源管理系统中，该可控硅可用于负载均衡和功率因数校正，提高整体系统的能源利用效率。

T1620T-8F, T1630T-8F, 3R200TB-10F