MG680714 时间：2025/5/19 18:35:52 阅读：5

MG680714是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高耐压的特点，能够有效提升系统的效率和可靠性。
　　MG680714通过优化设计，在高频工作条件下表现出卓越的性能，并支持大电流负载，适合工业级及消费类电子设备中的多种场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：70V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大漏极电流(ID)：30A
　　导通电阻(RDS(on))：4mΩ(典型值，VGS=10V)
　　栅极电荷(Qg)：55nC
　　总功耗(Ptot)：190W
　　结温范围(TJ)：-55℃ to 175℃
　　封装形式：TO-247

特性

MG680714具备出色的电气性能，其主要特点如下：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　2. 高耐压能力，适用于各种高压应用场景。
　　3. 快速开关速度，支持高频电路设计，从而缩小整体方案尺寸。
　　4. 强大的散热性能，可承受较高的瞬态电流冲击。
　　5. 内置ESD保护功能，增强了器件的鲁棒性和抗干扰能力。
　　6. 符合RoHS标准，环保且适合长期使用。

应用

MG680714广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
　　2. 各类DC-DC转换器，包括降压、升压以及反激拓扑结构。
　　3. 电机驱动器中的功率级控制。
　　4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　5. 消费类电子产品如笔记本适配器、LED驱动电源等。
　　6. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品。