时间：2025/8/8 18:47:21
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K2649-01R 是一款由 KEC Corporation 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换和功率管理应用。这款器件设计用于在高频率和高电流条件下提供出色的性能，具备低导通电阻、高击穿电压以及优良的热稳定性。K2649-01R 通常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器和电机控制电路等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大漏极电流（ID）：30A
导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS=10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：1V~3V
最大耗散功率（PD）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
K2649-01R 功率 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件的最大漏源电压为 60V，支持在较高电压环境下稳定运行。K2649-01R 的最大漏极电流为 30A，能够胜任高功率需求的应用场景。该 MOSFET 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。其栅极阈值电压较低（1V~3V），可与多种驱动电路兼容，简化驱动设计。此外，该器件具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定工作，适用于各种严苛的工业和消费类电子产品应用。
K2649-01R 在设计上还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，从而提高整体电源转换效率。其优异的抗雪崩能力和过载耐受性进一步增强了器件的可靠性和耐用性。在实际应用中，该器件适用于多种高功率开关应用，如马达驱动器、电池管理系统、DC-DC 转换器以及各类电源供应器等。
K2649-01R 广泛应用于需要高效能功率管理的电子设备中。常见的使用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、逆变器、马达驱动器以及各种工业自动化设备中的功率控制电路。此外，该器件也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电能管理系统和车灯控制系统等。由于其高效率和良好的热性能，K2649-01R 也适用于对功耗和体积有较高要求的便携式设备和嵌入式系统。
IRFZ44N, FDP6030L, STP30NF06L, Si4446DY
