时间：2025/9/16 15:38:20
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TIS75-112 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的功率管理应用中。该器件设计用于在高电压和大电流条件下工作，具备较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高系统效率。TIS75-112 采用 TO-220 封装，适用于多种工业、汽车和消费类电子设备。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极-源极击穿电压 (Vds)：100V
漏极-栅极击穿电压 (Vdg)：100V
栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
连续漏极电流 (Id)：75A
脉冲漏极电流 (Idm)：300A
最大功耗 (Ptot)：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
存储温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
导通电阻 (Rds(on))：最大 1.2mΩ（在 Vgs=10V 时）
TIS75-112 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高效率。该器件采用了先进的沟槽技术，使得在高电流下仍能保持较低的电压降。此外，TIS75-112 具有良好的热稳定性和较高的电流承受能力，能够在极端工作条件下保持稳定的性能。
TIS75-112 的另一个重要特性是其耐用性和可靠性。该器件经过严格的测试和验证，能够在高温和高湿度环境下正常工作，适用于各种恶劣的工业和汽车应用环境。此外，TIS75-112 的封装设计有助于快速散热，确保在高负载条件下的稳定运行。
该 MOSFET 还具备较高的抗雪崩能力，能够承受一定的瞬态过电压，从而保护电路免受损坏。这种特性使其特别适用于需要高可靠性和稳定性的电源转换和电机控制应用。
TIS75-112 主要应用于高功率 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、电池管理系统（BMS）、汽车电子系统（如电动助力转向系统和车载充电器）以及工业自动化设备中的功率开关。由于其高电流承载能力和低导通电阻，TIS75-112 在电源管理和功率控制领域表现出色，能够有效提高系统的效率和稳定性。
STP75NF75, IRF1404, FDP75N10
