STP10NK60 时间：2025/7/23 11:24:22 阅读：6

STP10NK60是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的热性能，适用于高频率开关应用。其最大漏源电压（Vds）为600V，连续漏极电流（Id）为9.4A，适合用于电源管理和功率转换系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：9.4A（在Tc=100℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：37A
　　功耗（Ptot）：65W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-220、D2PAK等
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω（最大值，在Vgs=10V）

特性

STP10NK60采用了先进的MESH OVERLAY技术，提供更低的导通损耗和更高的开关性能。其设计优化了动态性能，减少了开关过程中的能量损耗，提高了整体效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。该器件还具备较强的抗雪崩能力，确保在极端条件下仍能保持稳定工作。
　　该器件的封装设计便于安装和散热，适用于多种功率应用。其TO-220和D2PAK封装形式广泛用于工业电源、开关电源（SMPS）、照明镇流器和电机控制等应用中。STP10NK60还具有较强的抗短路能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。

应用

STP10NK60广泛应用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、LED驱动器、电机驱动器、工业自动化控制系统、家用电器电源模块等。由于其高耐压和低导通电阻特性，它也常用于高频逆变器和功率因数校正（PFC）电路中。此外，该器件适用于需要高可靠性和高效能的电源管理系统，如太阳能逆变器、电池充电器和电源适配器。
　　在消费类电子产品中，STP10NK60可用于LED照明驱动、电视电源、电脑电源等。在工业领域，该器件适用于变频器、伺服驱动器和工业自动化设备中的电源管理部分。