IXSH17N100 时间：2025/8/5 18:42:40 阅读：26

IXSH17N100是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和高电流容量，适用于电源管理、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等工业和消费类电子产品。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：17A
　　漏源极击穿电压（VDS）：100V
　　栅源极击穿电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.105Ω（典型0.085Ω）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXSH17N100具有低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率；
　　具备高耐压能力，VDS达到100V，适用于多种中高功率应用；
　　该器件的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计；
　　栅极驱动电压范围宽，可兼容多种驱动电路；
　　内部结构优化，具有良好的抗雪崩能力和热稳定性；
　　适用于高频开关操作，开关损耗低；
　　具备较高的可靠性和耐用性，可在恶劣环境下稳定运行。