型号：M5M5257P-35
　　制造商：Mitsubishi
　　存储容量：512K x 1位
　　总存储量：524,288位（64KB）
　　封装形式：28引脚DIP
　　电源电压：+5V ±10%
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存取时间：35ns（最大）
　　刷新周期：8ms（典型）
　　数据宽度：1位
　　地址输入：A0-A8（复用）
　　控制信号：RAS、CAS、WE、OE
　　输出驱动能力：TTL兼容
　　封装类型：PDIP-28
　　工艺技术：CMOS
　　芯片尺寸：标准DIP尺寸

M5M5257P-35作为一款经典的异步DRAM芯片，具备多项针对当时应用需求优化的技术特性。
　　首先，该芯片采用了地址复用技术，即通过将18位地址分为两部分（行地址和列地址），分别在RAS和CAS信号有效时传入，从而显著减少了所需的地址引脚数量。这种方式不仅降低了封装成本，也使得芯片更适合在引脚资源有限的系统中使用。由于其512K x 1位的组织结构，多个此类芯片常被并联使用以构成完整的字节或字宽存储体，例如8片组合形成64KB的8位存储空间。
　　其次，M5M5257P-35支持标准的异步读写操作，无需外部时钟同步，由RAS、CAS和写使能（WE）信号协同控制读写时序。这使其能够与多种微处理器和控制器直接接口，尤其适合用于Z80、68000、8086等经典处理器架构的系统中。此外，该芯片具备数据输出三态控制功能，允许其数据线直接连接到共享的数据总线上，便于多设备共用总线架构。
　　在功耗方面，得益于CMOS制造工艺，M5M5257P-35相较于早期的NMOS DRAM具有更低的静态功耗，同时保持了良好的噪声抗扰度和稳定性。然而，由于DRAM的基本原理，该芯片需要定期刷新以维持存储数据，通常要求每8毫秒内完成一次完整的行刷新操作，系统必须提供相应的刷新逻辑或由CPU/控制器管理刷新过程。
　　最后，其35ns的快速存取时间在当时属于高性能级别，适用于需要较高内存带宽的图形显示缓冲、实时数据采集等应用。尽管现代存储器已远超其性能，但M5M5257P-35因其稳定性和成熟的设计，在某些特定维护或历史还原项目中仍然受到青睐。

M5M5257P-35主要应用于20世纪80年代末至90年代中期的各种电子系统中，尤其是在个人计算机、工作站、工业控制设备和通信设备中扮演重要角色。
　　在早期PC兼容机中，该芯片常被用于构建主内存模块，特别是在XT/AT架构扩展卡上，多片M5M5257P-35并联组成64KB甚至更大容量的内存条。由于其1位数据宽度，通常需要8颗或更多芯片组合成一个完整的字节通道，因此常见于SIMM（单列直插内存模块）设计中。
　　此外，该芯片也被广泛用于图形显示控制器中，作为视频内存（VRAM）的替代方案。虽然不具备专用VRAM的双端口特性，但在成本敏感的应用中，通过时间分片方式仍可实现基本的图像刷新功能，适用于单色或低彩色分辨率显示器。
　　在工业自动化领域，M5M5257P-35被用于PLC（可编程逻辑控制器）、数据采集系统和嵌入式控制器中，用于暂存运行数据、程序代码或I/O状态信息。其高可靠性和宽温范围内的稳定性使其能够在恶劣工业环境中长期运行。
　　通信设备如调制解调器、路由器原型和电话交换机中也采用此类DRAM进行帧缓冲和协议处理数据存储。此外，在教育类实验设备、单板计算机（如早期的Z80开发系统）以及复古计算爱好者项目中，M5M5257P-35依然是重要的元器件选择。尽管目前已停产且被新型存储器取代，但在设备维修、系统恢复和历史硬件复制中仍有实际应用价值。

TC514257AP-35
　　HM5257BFP-35
　　CY7C257-35NC
　　UPD4257C-35