DBS400B12 时间：2025/8/16 7:54:22 阅读：7

DBS400B12 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的双路、N沟道增强型功率MOSFET模块，广泛应用于中高功率的电力电子设备中，如电源转换器、电机驱动器和逆变器等。该器件采用紧凑型封装，具有良好的热管理和高可靠性，适用于需要高效、高密度功率设计的应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：400A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：1200V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：双列直插式模块（DIP）
　　热阻（Rth）：0.25°C/W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值12mΩ

特性

DBS400B12 具有优异的导通性能和低开关损耗，适用于高效率的功率转换系统。
　　其双路N沟道MOSFET结构允许并联使用，提高电流承载能力和系统冗余性。
　　采用先进的沟槽栅技术，提供更低的导通电阻和更高的热稳定性。
　　模块内部集成了高效的散热结构，确保在高功率应用中保持稳定的工作温度。
　　该器件具有良好的抗短路能力，提高了系统的可靠性和安全性。
　　此外，DBS400B12 的封装设计符合工业标准，便于安装和散热器连接，适用于各种工业和汽车电子应用。

应用

DBS400B12 常用于高性能电源转换系统，如DC-DC转换器、AC-DC整流器、UPS不间断电源、工业电机驱动器以及电动汽车的功率模块。
　　它也可用于太阳能逆变器、电能质量调节系统以及智能电网中的电力电子装置。
　　由于其高可靠性和优异的热管理能力，DBS400B12 还适用于高要求的汽车电子应用，如车载充电器和电机控制系统。
　　在工业自动化和智能制造设备中，DBS400B12 用于高效能的功率驱动和能量管理方案。