时间：2025/9/14 6:06:32
阅读：10
PBSS5160V,115 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装。该器件适用于高效率电源转换和负载开关应用，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力。其设计旨在提高功率密度并减少系统功耗，适用于服务器、通信设备、电源管理模块以及汽车电子等多种应用领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：160A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大值2.3mΩ（典型值1.8mΩ）
封装类型：LFPAK56（双排Power-SO8）
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
功率耗散（Ptot）：135W
栅极电荷（Qg）：85nC（典型值）
输入电容（Ciss）：3200pF（典型值）
PBSS5160V,115 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体效率。其LFPAK56封装提供了良好的热性能，使得该MOSFET能够处理高电流负载而不产生过多热量。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定工作。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V的栅源电压，使其适用于多种驱动电路。同时，其低Qg和Ciss参数有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。器件还具备出色的短路耐受能力，适用于需要高可靠性的应用场景。
由于其采用LFPAK封装技术，PBSS5160V,115 不需要引线框架，因此具有更高的机械稳定性和更好的热循环性能。这一特性使其非常适合用于汽车电子系统，如电动助力转向、电池管理系统和DC-DC转换器等应用。
PBSS5160V,115 广泛应用于需要高效率和高电流能力的功率系统中。常见的应用包括同步整流器、负载开关、电机驱动、DC-DC转换器、电源管理模块以及服务器和通信设备中的功率分配单元。此外，该器件也适用于工业自动化、电动汽车（EV）充电系统、储能系统以及不间断电源（UPS）等高功率密度设计。
在汽车电子领域，PBSS5160V,115 可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）以及48V轻混动力系统中的功率转换模块。由于其优异的热性能和可靠性，该MOSFET也常用于需要高耐久性和长寿命的工业控制系统。
SiSS160DN, Infineon BSC160N06LS5AGUMA1, STMicroelectronics STP160N6F7, ON Semiconductor NVTFS6160PL
