IXDN604SITR 时间：2025/8/6 13:00:29 阅读：25

IXDN604SITR 是一款由 IXYS 公司制造的高速 MOSFET 驱动器集成电路，主要用于驱动功率 MOSFET 和 IGBT 器件。该芯片设计用于提高功率转换系统的效率和性能，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和电源管理等领域。IXDN604SITR 采用半桥结构，具备高输出电流能力和快速响应时间，能够有效减少开关损耗并提升系统稳定性。

参数

类型：MOSFET 驱动器
　　封装类型：SOIC-8
　　电源电压：10V ~ 20V
　　输出电流：4A（峰值）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　驱动方式：高/低端驱动
　　传播延迟：约 17ns（典型值）
　　上升/下降时间：约 6ns（典型值）
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS 兼容
　　工作模式：半桥驱动

特性

IXDN604SITR 是一款高性能的 MOSFET 驱动器，具有出色的驱动能力和快速的响应时间。其核心特性之一是高输出驱动电流，能够提供高达 4A 的峰值电流，从而加快功率器件的导通和关断速度，减少开关损耗。此外，该芯片具备极短的传播延迟（约 17ns）和快速的上升/下降时间（约 6ns），使其非常适合高频开关应用。
　　该器件采用半桥结构设计，集成了高端和低端驱动器，能够驱动高压侧和低压侧的 MOSFET 或 IGBT。芯片内置的自举电路确保高端驱动器能够在高电压条件下正常工作。同时，IXDN604SITR 支持宽范围的电源电压（10V 至 20V），使其在不同应用场景中具备良好的适应性。
　　为了提高系统的稳定性和可靠性，IXDN604SITR 还具备欠压锁定（UVLO）功能，在电源电压不足时自动关闭输出，防止误操作。其输入逻辑兼容 TTL 和 CMOS 电平，方便与多种控制器连接。此外，该芯片采用 SOIC-8 封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合在紧凑型设计中使用。

应用

IXDN604SITR 主要用于需要高效驱动功率 MOSFET 或 IGBT 的场合。常见应用包括 DC-DC 转换器、电机驱动器、UPS 电源、太阳能逆变器、功率因数校正（PFC）电路以及各种高频开关电源系统。其高速特性和高输出电流能力也使其适用于工业自动化设备、电动汽车充电系统以及智能电网相关设备。