电容：470nF (474)
　　电压：10V
　　温度特性：X7R
　　电容容差：±10%
　　封装尺寸：0603 (1608)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　直流偏压特性：随电压升高电容值略有下降
　　绝缘电阻：≥500MΩ 或 C·V ≥ 10000Ω·F（取较大值）
　　ESR（等效串联电阻）：低
　　 ESL（等效串联电感）：低
　　老化率：≤2.5% / decade hour
　　介质材料：钡钛酸盐基陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡涂层（Ni-Sn）
　　产品系列：EMR
　　产品等级：工业级

EMR107B7474KA-T所采用的X7R型陶瓷介质赋予了它出色的温度稳定性和电气性能一致性，在-55°C到+125°C的宽温范围内，电容值的变化被严格控制在±15%以内，这使其非常适合用于对温度波动较为敏感的应用环境，例如移动设备内部或车载电子系统中。这种材料还具备较低的老化速率，通常每十倍时间周期（decade hour）电容减少不超过2.5%，从而保证长期运行下的性能稳定性。
　　该电容器使用多层结构设计，通过交替堆叠陶瓷介质与内电极（通常为镍或铜）实现高电容密度。尽管其体积仅为0603（1.6mm × 0.8mm），却能提供470nF的较大电容量，极大提升了单位体积内的储能能力，满足现代电子产品小型化和轻薄化的需求。同时，由于采用了优化的内电极排布和端头结构，该器件表现出较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提升高频去耦效率，有效滤除电源线上的高频噪声，增强系统的电磁兼容性（EMC）。
　　在直流偏压方面，X7R材质虽存在一定的电容随外加电压上升而下降的现象，但EMR107B7474KA-T经过材料配方与结构优化，在10V额定电压下仍能保持相对较高的有效电容利用率，确保在实际工作条件下仍有足够的去耦能力。此外，该器件具备良好的机械强度和抗热冲击性能，能够承受标准无铅回流焊工艺的高温循环而不发生开裂或性能劣化，提高了生产良率和产品可靠性。其端子采用镍阻挡层加锡涂层的设计，不仅增强了焊接可靠性和耐腐蚀性，还能防止银离子迁移问题，延长使用寿命。整体而言，这款MLCC结合了高容值、小尺寸、宽温特性和良好可靠性，是当前主流电子设计中理想的通用型陶瓷电容解决方案。

EMR107B7474KA-T广泛应用于各类需要稳定电容性能的小型化电子设备中。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，常用于处理器核心供电网络的去耦，以平滑瞬态电流引起的电压波动，保障芯片稳定运行。在电源管理电路中，该电容器可用于DC-DC转换器的输入输出滤波，降低纹波电压并提高转换效率。由于其具备良好的频率响应特性，也常被用作模拟信号路径中的耦合与旁路元件，尤其适用于音频处理和传感器接口电路。
　　在通信模块中，包括Wi-Fi、蓝牙和蜂窝通信单元，EMR107B7474KA-T可用于射频前端电源的局部去耦，减少噪声对敏感高频信号的影响，提升信号质量。在计算机主板、内存模块及嵌入式控制器中，这类电容器大量分布于芯片周围，构成完整的电源完整性（Power Integrity）体系。工业控制系统和汽车电子中，虽然工作环境更为严苛，但由于其支持-55°C至+125°C的工作温度范围，并具备一定的抗振动和热循环能力，因此也可用于非动力域的辅助电路中，如信息娱乐系统、车身控制模块等。
　　此外，该器件还适用于各种基于微控制器（MCU）或现场可编程门阵列（FPGA）的开发板和模块化设计平台，作为通用型贴片电容进行批量使用。在自动化测试设备（ATE）、医疗仪器和物联网终端设备中，凭借其高可靠性和一致性，能够有效支持长时间稳定运行。总体来看，EMR107B7474KA-T因其综合性能优异，已成为现代高密度PCB设计中不可或缺的基础元件之一。

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　　 "GRM188R71A474KA01D",
　　 "CL21B474KAQNNNE",
　　 "C1608X7R1A474K080AB",
　　 "SRP05X7R104K",
　　 "EMK107B7474KA-T"
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