SWPA8065S102MT是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率放大器芯片,主要应用于射频和微波通信领域。该芯片采用先进的封装工艺,能够在高频条件下提供卓越的增益、线性度和输出功率性能。
这款功率放大器支持宽范围的频率操作,并具有低热阻和高可靠性的特点,非常适合需要高性能射频信号放大的场景,例如基站、雷达系统以及卫星通信等。
型号:SWPA8065S102MT
工作频率范围:700 MHz 至 6 GHz
输出功率:40 dBm 典型值
增益:12 dB 典型值
电源电压:28 V
静态电流:350 mA 典型值
封装形式:QFN-16L (5x5 mm)
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
SWPA8065S102MT的核心优势在于其使用了氮化镓(GaN)晶体管技术,这一技术显著提升了器件的功率密度与效率。在高频应用中,它表现出色的线性度和较低的失真水平。
此外,该芯片通过优化设计减少了外部元件的数量,简化了电路板布局过程。其紧凑的封装形式进一步节省了空间,适用于对尺寸有严格要求的应用环境。
同时,内置的保护功能(如过温保护和过流保护)增强了系统的整体稳定性,延长了产品的使用寿命。
SWPA8065S102MT广泛用于各种射频功率放大需求的场合,具体包括:
1. 无线通信基础设施(如4G LTE和5G NR基站)。
2. 军用和民用雷达系统中的发射机部分。
3. 卫星通信地面站设备。
4. 点对点微波回传链路。
5. 工业、科学及医疗(ISM)频段设备。
由于其广泛的频率覆盖范围和强大的输出能力,这款芯片可以灵活地适配多种不同的应用场景。
SWPA8065S103MT
SWPA8065S104MT