制造商: NXP (恩智浦)
　　晶体管类型: LDMOS 射频功率晶体管
　　频率范围: 800 MHz - 4000 MHz
　　输出功率: 最大可达 400 W (Pout)
　　工作电压: 28 V
　　增益: 33 dB（典型值）
　　效率: 40%（典型值）
　　封装类型: 金属封装
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　阻抗: 50 Ω

XPC7400RX400PK 是一款高性能射频功率晶体管，具有宽频带操作能力，适用于多种射频应用。该器件的设计使其能够在800 MHz至4 GHz的广泛频率范围内保持稳定的输出性能，这使其成为多频段或宽带放大器的理想选择。
　　该晶体管采用LDMOS技术制造，具有高线性度、高可靠性和良好的热稳定性。此外，XPC7400RX400PK 集成了多级放大结构，包括驱动级和输出级，减少了外部元件的需求，从而简化了系统设计并提高了整体效率。
　　这款晶体管在28V的工作电压下可提供高达400W的输出功率，增益典型值为33dB，效率可达40%以上，适用于高功率密度和紧凑型设计的应用场景。它还具备良好的驻波比（VSWR）耐受能力，能够在负载不匹配的情况下保持稳定运行。
　　在热管理和可靠性方面，XPC7400RX400PK 采用了金属封装技术，有助于高效散热，确保在高功率操作下的长期稳定性。其工作温度范围广泛（-55°C至+150°C），适合在严苛环境条件下使用。

XPC7400RX400PK 主要用于需要高功率射频放大的通信和工业设备中。它广泛应用于蜂窝基站基础设施，包括4G LTE和5G NR基站中的射频功率放大器单元。此外，该晶体管也适用于广播设备，如调频（FM）和电视广播发射器，用于增强信号的覆盖范围和稳定性。
　　在工业领域，XPC7400RX400PK 可用于射频加热、等离子体生成和射频驱动的医疗设备中，提供稳定的高功率输出。它还适用于测试设备和测量仪器，如射频信号发生器和频谱分析仪中的高功率放大模块。
　　由于其宽频带特性和高可靠性，该晶体管也常用于军用通信系统、应急通信设备和宽带无线接入系统。此外，在物联网（IoT）和远程通信系统中，XPC7400RX400PK 也能够作为高功率射频前端的核心组件，支持远距离、高数据速率的无线传输。

MRF6S27045N, AFT05MS004N, CLF2A0270S