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HZM9.1NB1TL(9.1V) 发布时间 时间:2025/9/6 17:27:34 查看 阅读:3

HZM9.1NB1TL(9.1V)是一款由ROHM(罗姆)公司生产的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),其齐纳电压为9.1V。该器件适用于需要精确电压参考或电压调节的电路设计,具有良好的稳定性和可靠性。齐纳二极管是一种利用反向击穿特性来维持电压恒定的二极管,广泛用于电源管理、电压监测和保护电路中。

参数

齐纳电压:9.1V
   功率耗散:200mW
   最大工作电流:50mA
   封装类型:SOD-123
   工作温度范围:-55°C 至 150°C
   齐纳阻抗:约10Ω(典型值)
   反向漏电流:最大100nA(在VZ的50%以下)
   存储温度范围:-55°C 至 150°C

特性

HZM9.1NB1TL(9.1V)采用了先进的制造工艺,确保了齐纳电压的高度稳定性和温度系数的最小化。该器件的SOD-123封装形式使其适用于高密度PCB布局,并具有良好的热性能。齐纳二极管的反向击穿电压在制造时被精确控制在9.1V,使其适用于精密电压参考应用。此外,该器件的低动态阻抗确保在负载变化时输出电压的稳定性。
   HZM9.1NB1TL(9.1V)的工作温度范围较宽,从-55°C到+150°C,能够在各种环境条件下稳定工作。其低漏电流特性也使其适用于低功耗电路设计。该齐纳二极管的封装形式符合RoHS标准,支持无铅焊接工艺,符合现代电子产品的环保要求。

应用

HZM9.1NB1TL(9.1V)通常用于电压参考、电源电压调节、过压保护电路、电压监测电路以及模拟电路中的基准电压源。在电源管理模块中,它可以作为反馈电路的一部分,帮助维持输出电压的稳定。此外,该器件也常用于传感器电路、运算放大器偏置电路以及微控制器系统的电压监控功能。

替代型号

HZM9.1NB1TL(9.1V)的替代型号包括BZT52C9V1、MMBZ5239B、1N4739A等具有类似齐纳电压和电气特性的齐纳二极管。在选择替代型号时,应确保其齐纳电压、功率耗散、工作温度范围和封装形式符合电路设计要求。

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