时间：2025/8/4 16:29:06
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TGAN50N60SFD是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的U-MOS VIII-H技术制造，具有低导通电阻和高可靠性，适用于高效率功率转换设备。该器件的额定电压为600V，最大连续漏极电流为50A，适合用于工业电源、电机控制、照明和家用电器等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
最大连续漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.145Ω（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
TGAN50N60SFD采用了东芝先进的U-MOS VIII-H技术，显著降低了导通电阻，并提高了开关性能和热稳定性，从而实现更高的系统效率。
该器件具有较低的开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色，有助于减小电源系统的尺寸和重量。
其高雪崩耐量和热阻性能确保了在恶劣工作条件下的可靠性和稳定性。
此外，该MOSFET具备良好的栅极驱动兼容性，适用于标准驱动电路，便于集成到各种电源设计中。
TGAN50N60SFD广泛应用于各种电力电子设备中，如工业开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、照明系统（如LED驱动器）以及家用电器中的功率控制部分。
TKA50N60W, TK200A60W, TK31A60W
