HM6116是一种高速静态随机存取存储器(SRAM),由HITACHI公司制造,广泛用于需要高速数据存取的场合。该芯片具有低功耗、高速度和易于使用等特点,是许多嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中常用的关键组件之一。其封装形式多为28引脚双列直插封装(DIP),适用于多种应用场景。
容量:2K x 8位
电压:5V
访问时间:55ns/70ns/100ns(根据型号不同)
封装形式:28引脚DIP/SOIC
工作温度范围:商业级(0°C至70°C)或工业级(-40°C至85°C)
输入/输出电平:TTL兼容
数据输出方式:三态缓冲输出
HM6116 SRAM芯片具有多个显著特性,使其在众多存储器中脱颖而出。
首先,HM6116的存储容量为16K位,组织形式为2K x 8位,这意味着它可以存储2048个字节的数据,适用于需要中等容量存储的系统。该芯片的高速访问时间分别为55ns、70ns或100ns,确保了快速的数据读写能力,从而提高了系统的整体性能。
其次,该芯片采用CMOS工艺制造,具有较低的功耗,适用于对功耗敏感的应用场景。在待机模式下,其功耗进一步降低,有助于延长设备的电池寿命。
再次,HM6116的引脚设计兼容标准的SRAM接口,便于在电路设计中进行替换和升级。其三态输出缓冲器可有效防止总线冲突,提高系统的稳定性和可靠性。
最后,该芯片支持异步操作,无需时钟信号即可进行数据的读写操作,使得控制逻辑相对简单,降低了设计难度。
HM6116广泛应用于各种电子设备中,如工业控制设备、数据采集系统、通信设备、嵌入式系统和测试仪器等。由于其高速存取能力和低功耗特性,它常被用作缓存存储器、数据缓冲区或临时数据存储单元。在一些老旧的计算机系统和外围设备中,HM6116也常用于扩展内存或作为高速缓冲存储器使用。
CY62167EAPLL-55B6TR2, IDT7164SA12PFG, IS61LV25616-10B4BLI, HM62816A