时间：2025/9/14 18:35:51
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BUK9M156-100EX是一款由NXP Semiconductors（原Philips）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源转换和功率控制应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，非常适合用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：100V
最大漏极电流（ID）：150A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：约5.6mΩ（典型值）
栅极电压范围：±20V
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK9M156-100EX具有低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。其高电流承载能力和低RDS(on)特性使其适合高功率应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供卓越的性能和可靠性。此外，它具有出色的热性能，可以在高温度环境下稳定工作。MOSFET的封装设计便于散热和安装，适用于表面贴装技术（SMT）和通孔焊接。
BUK9M156-100EX广泛应用于电源管理领域，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。它也可用于电池管理系统、工业自动化设备和高功率LED照明系统。由于其高可靠性和热稳定性，该器件常用于需要高效率和紧凑设计的现代电子设备中。
IRF150, FDP150N10, STP150N10F7
