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EPCQL512F24IN 发布时间 时间:2025/5/24 20:44:44 查看 阅读:13

EPCQL512F24IN是Efficient Power Conversion (EPC) 公司推出的一款基于氮化镓(GaN)技术的场效应晶体管(eGaN FET)。该器件采用了QFN封装形式,具有超低的导通电阻和极快的开关速度。其设计适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。
  该型号属于EPC公司推出的高性能GaN晶体管系列,相较于传统的硅基MOSFET,EPCQL512F24IN在效率、功率密度和热性能方面均有显著提升。

参数

额定电压:200V
  最大电流:18A
  导通电阻:9.6mΩ
  栅极电荷:3.7nC
  反向恢复时间:无
  工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
  封装形式:QFN 8x8mm

特性

EPCQL512F24IN采用增强型GaN技术制造,具有以下关键特性:
  1. 超低导通电阻(9.6mΩ),能够显著降低传导损耗。
  2. 高开关频率支持,使得其在高频应用中表现优异,从而减少磁性元件的体积和重量。
  3. 极低的栅极电荷(3.7nC),有助于减少开关过程中的能量损耗。
  4. 无反向恢复电荷,避免了传统二极管中存在的反向恢复问题,进一步提升了系统效率。
  5. 工作温度范围宽广(-40℃至+150℃),能够在极端环境下稳定运行。
  6. 封装紧凑,适合空间受限的设计需求。

应用

EPCQL512F24IN主要应用于以下领域:
  1. 高效DC-DC转换器,特别是对于高功率密度设计。
  2. 开关电源(SMPS),包括PFC电路和逆变器。
  3. 无线充电设备,利用高频GaN技术提高效率。
  4. 激光雷达(LiDAR)驱动器,提供快速开关以满足测距精度要求。
  5. 电动车辆和工业电机驱动控制,实现更高的系统效率和更小的物理尺寸。

替代型号

EPC2020, EPC2021, EPC2022

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EPCQL512F24IN参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列EPCQ-L
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 可编程类型系统内可编程
  • 存储容量512Mb
  • 电压 - 供电1.7V ~ 2V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳24-TBGA
  • 供应商器件封装24-FBGA(6x8)