时间：2025/8/3 0:31:47
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TFW260N是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率处理能力，适用于需要高效率和高性能的电子设备。TFW260N采用先进的沟槽式MOSFET技术，使其在高电流应用中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏极-源极电压（VDS）：60V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：3.7mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-247
功率耗散（PD）：200W
TFW260N的主要特性包括其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高整体效率。该器件的高电流处理能力使其适用于高功率应用，例如DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。此外，TFW260N的封装设计有助于散热，确保在高负载条件下的稳定性。其宽广的工作温度范围也使其能够在恶劣的环境条件下正常工作。东芝还为该器件提供了详细的技术支持和应用指南，以帮助工程师更好地集成和优化设计。
TFW260N通常用于需要高功率和高效率的应用场景，如电源供应器、DC-DC转换器、电池管理系统、电动工具、工业自动化设备以及电动汽车的功率控制系统。由于其高可靠性和性能，它也适用于需要高电流开关能力的电机控制应用。
TK260E06K、IPW60R045C6、IRFP4468PBF
