制造商：Intel
　　系列：StrataFlash
　　产品类型：NOR Flash
　　存储容量：16 Mbit
　　组织结构：2M x 8 / 1M x 16
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：90 ns
　　接口类型：并行（CE#, OE#, WE#, BYTE#）
　　封装形式：TSOP-48
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区或整片擦除
　　耐久性：10万次擦写周期
　　数据保持时间：10年（典型值）
　　是否支持JEDEC标准命令集：是
　　是否支持软件数据保护：是

GT28F160C3BA90 采用 Intel 的 StrataFlash 技术，结合了 NOR Flash 的快速随机访问能力与 MLC（多级单元）技术的高密度优势，使其在性能和成本之间实现了良好平衡。该芯片支持字节和字两种操作模式，通过 BYTE# 引脚可动态切换 8 位或 16 位总线宽度，极大增强了其在不同处理器接口环境下的兼容性。其 90ns 的快速读取访问时间确保了在嵌入式系统中执行代码（XIP, Execute-In-Place）时的高效性，无需将程序复制到 RAM 中即可直接运行，节省了系统资源并提升了启动速度。
　　该器件内置智能命令集架构，支持标准 JEDEC 命令协议，包括读取识别、自动选择、扇区擦除、整片擦除和编程操作。同时，它具备软件数据保护（Software Data Protection, SDP）功能，可在意外断电或误操作情况下防止关键数据被篡改或擦除，提升了系统的可靠性。芯片内部集成电荷泵电路，用于生成编程和擦除所需的高压，因此仅需单电源供电（2.7V–3.6V），无需外部提供高压 Vpp，简化了电源设计。
　　GT28F160C3BA90 还支持分区域擦除机制，允许用户对特定扇区进行独立擦除，最小扇区大小通常为 64KB 或更小，便于实现固件更新、日志记录或配置存储等灵活应用。其耐久性可达 10 万次擦写循环，数据保持时间长达 10 年以上（在正常工作条件下），适合长期运行的工业和通信设备。此外，该芯片符合工业级温度规范（-40°C 至 +85°C），可在恶劣环境中稳定工作。尽管该型号目前已停产，但其技术架构为后续的嵌入式闪存发展奠定了基础，并在许多 legacy 系统中仍有广泛应用。

GT28F160C3BA90 主要应用于需要可靠非易失性存储且对随机读取速度有较高要求的嵌入式系统中。其典型应用场景包括网络基础设施设备，如路由器、交换机和防火墙，用于存储引导代码（Boot Code）、操作系统映像和配置参数，支持快速启动和现场固件升级。在工业自动化领域，该芯片常用于 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程 I/O 模块中，作为程序存储介质，确保控制逻辑在断电后不丢失。
　　在消费类电子产品中，GT28F160C3BA90 曾广泛用于打印机、多功能一体机、数码复印机等设备中，用于存放固件、字体库和设备设置信息。其快速读取能力使得打印驱动加载迅速，提升用户体验。在汽车电子系统中，该芯片可用于车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘控制模块和车身控制模块（BCM），存储启动程序和校准数据。
　　此外，该器件也适用于医疗设备、测试测量仪器和军事通信系统等对数据完整性和环境适应性要求较高的场合。由于其支持 XIP（就地执行）功能，特别适合资源受限的 MCU 或 MPU 系统，避免额外增加 RAM 容量来加载程序代码。虽然当前主流设计已转向更高密度或串行接口的 Flash，但在系统维护、备件替换和旧平台延续开发中，GT28F160C3BA90 依然具有不可替代的作用。

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