PH75F280-12 时间：2025/12/1 15:12:23 阅读：15

PH75F280-12是一款由Panjit Semiconductor生产的高效率、高电压肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），专为高频开关电源应用设计。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低正向压降和快速恢复特性，能够有效降低功率损耗并提高系统整体效率。PH75F280-12的额定平均正向整流电流可达75A，最大反向重复峰值电压为120V，适用于大电流、低压输出的整流场合，如服务器电源、通信电源、DC-DC转换器以及工业电源等场景。其紧凑的TO-247封装形式不仅提供了良好的热性能，还便于在有限空间内进行散热设计与安装布局。
　　该器件符合RoHS环保标准，并具备优良的抗浪涌电流能力，能够在瞬态负载变化下保持稳定工作。此外，PH75F280-12在高温环境下仍能维持可靠的电气性能，适合在严苛工业环境中长期运行。由于其优异的开关特性和较低的导通损耗，这款二极管被广泛应用于高效节能型电源系统中，尤其是在需要高功率密度和高效率转换的设计中表现出色。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　封装：TO-247
　　平均正向整流电流：75A
　　最大反向重复峰值电压：120V
　　峰值正向浪涌电流：600A
　　工作结温范围：-65℃ ~ +175℃
　　正向压降（典型值）：0.52V @ 37.5A, 125℃
　　漏电流（最大值）：1.0mA @ 120V, 125℃
　　热阻（结到壳）：1.7℃/W

特性

PH75F280-12的核心优势在于其低正向压降与高电流承载能力的结合，这使其在大功率开关电源中成为理想的整流元件。在典型工作条件下，当电流达到37.5A且结温为125℃时，其正向压降仅为0.52V左右，显著低于传统快恢复二极管，从而大幅减少了导通期间的能量损耗，提升了电源系统的整体效率。这一特性对于追求高能效等级（如80 PLUS钛金认证）的应用尤为重要。同时，由于肖特基二极管本身属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度和几乎无反向恢复电荷的特点，避免了因反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰问题，有助于简化EMI滤波电路设计，提升系统稳定性。
　　该器件采用TO-247封装，具有较大的金属背板面积，有利于通过外部散热器实现高效的热传导，确保在持续高负载运行下的温度控制。其热阻（Rth j-c）仅为1.7℃/W，意味着每瓦功耗仅导致结温上升1.7℃，配合良好散热设计可支持长时间满负荷运行。此外，PH75F280-12具备高达600A的峰值正向浪涌电流承受能力，可在启动或短时过载情况下提供可靠保护，防止因瞬间大电流导致器件损坏。
　　从可靠性角度看，该产品经过严格的质量管控流程，具备出色的抗热循环能力和长期稳定性，可在-65℃至+175℃的宽结温范围内正常工作，适应各种恶劣环境条件。其低漏电流表现（在125℃高温下最大仅1.0mA）也保证了在高温工况下的低静态损耗，进一步增强了器件的可靠性与安全性。综合来看，PH75F280-12是一款面向高性能电源应用优化设计的高端功率二极管，兼具高效、可靠与耐用三大特点。

应用

PH75F280-12主要应用于各类高效率开关电源系统中，尤其适用于要求低电压、大电流输出的DC-DC转换器，例如服务器主板供电、GPU电源模块、基站电源单元等。它常用于同步整流拓扑中的次级侧整流环节，虽然不能完全替代MOSFET同步整流方案，但在成本敏感或控制复杂度受限的应用中仍具竞争力。此外，该器件也广泛用于通信电源、UPS不间断电源、工业控制电源及太阳能逆变器中的整流与续流电路。其高浪涌电流能力和良好的热性能使其特别适合频繁启停或负载波动较大的应用场景。在电动汽车充电桩、储能系统等新兴领域，PH75F280-12也可作为辅助电源或辅助整流元件使用，满足对高可靠性和长寿命的需求。