时间：2025/5/10 11:01:54
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TFD120N03M 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装技术（SMT）应用，同时具备较高的电流承载能力和耐热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：120A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：45nC
总开关能量：90nJ
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
TFD120N03M 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中减少功率损耗。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适用于现代高效电源设计。
3. 高电流处理能力，确保其在大负载条件下稳定运行。
4. 小巧紧凑的封装形式（TO-252），便于表面贴装及空间受限的应用环境。
5. 较宽的工作温度范围，适应各种严苛的工作条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
TFD120N03M 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
6. 大功率 LED 驱动电路中的开关元件。
IRFZ44N
STP120N03L
FDP120N03
