TGA2710 是一款由 TriQuint(现为 Qorvo)制造的高功率 GaN(氮化镓)射频功率晶体管。该器件主要用于L波段到S波段的雷达、通信和测试设备等应用。TGA2710 采用先进的氮化镓技术,提供高效率、高线性度和高可靠性。其设计适用于需要高输出功率和良好热管理能力的系统。
工作频率范围:1.2 GHz - 1.4 GHz
输出功率:1000 W(典型值)
增益:20 dB(典型值)
效率:>65%(典型值)
漏极电压:50 V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:陶瓷金属封装(Ceramic Metal Package)
输入和输出阻抗:50 Ω
TGA2710 的核心特性之一是其使用了GaN on SiC(碳化硅上氮化镓)技术,这使得该晶体管能够在高频下提供高功率密度和出色的热性能。其高击穿电压允许器件在更高的电源电压下工作,从而提高输出功率和效率。此外,TGA2710 还具备出色的耐用性和抗失配能力,使其在恶劣环境下也能稳定运行。
TGA2710 设计用于脉冲和连续波(CW)操作,适用于雷达和通信系统中的高功率放大器设计。该器件具有良好的线性度,支持多载波和宽带信号放大。此外,其高可靠性使得TGA2710成为军事、航空航天和工业应用的理想选择。
由于其高效率和高功率处理能力,TGA2710 在设计时通常需要良好的散热管理和匹配网络。该器件通常需要外部输入和输出匹配电路,以确保在目标频率范围内实现最佳性能。
TGA2710 主要应用于需要高功率放大的射频系统中,例如军用雷达、空中交通管制雷达、卫星通信、测试和测量设备、广播发射机以及工业加热系统。其高输出功率和宽频率范围使其非常适合用于L波段和S波段的高功率放大器设计。
TGA2709, TGA2711, TGA2712