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GA1210Y824MBJAR31G 发布时间 时间:2025/6/6 19:46:12 查看 阅读:4

GA1210Y824MBJAR31G 是一种用于功率管理的 MOSFET 芯片,主要应用于高效率电源转换和电机驱动领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能等特性,能够满足现代电子设备对高性能功率器件的需求。
  此型号属于增强型 N 沟道 MOSFET,广泛适用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场景。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  电压等级:100V
  最大漏极电流:12A
  导通电阻(典型值):8.2mΩ
  栅极电荷:37nC
  总电容(输入电容):1050pF
  功耗:10W
  封装形式:TO-263-3L

特性

GA1210Y824MBJAR31G 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度降低了开关损耗,适合高频应用。
  3. 优化的栅极电荷设计,使得驱动更加简便且高效。
  4. 高电流承载能力,能够在大功率场景下稳定工作。
  5. 封装坚固耐用,散热性能优越,确保在高温环境下也能保持良好的运行状态。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料,适合绿色电子产品开发。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及适配器设计。
  2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
  3. 电机驱动与控制电路。
  4. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
  5. 各类负载开关和保护电路设计。
  6. 工业自动化和家电中的功率管理单元。

替代型号

GA1210Y824MBJAR31G 的可能替代型号包括 IRFZ44N、STP12NM60 和 FDP15U20AE。

GA1210Y824MBJAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.82 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-