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1SV253 发布时间 时间:2025/6/17 6:37:48 查看 阅读:5

1SV253是一种用于高频电路的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),广泛应用于射频(RF)和微波电路中。该器件具有低正向压降、快速开关速度和低反向漏电流的特点,使其非常适合于高频整流、检波和开关应用。它通常以表面贴装技术(SMD)封装形式提供,适用于自动化装配生产线。

参数

最大正向电压:0.3V
  最大反向电压:20V
  最大正向电流:1A
  最大反向电流:10μA
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装类型:SOT-23

特性

1SV253拥有卓越的高频性能,得益于其低结电容设计,能够有效减少信号失真。
  该器件的快速恢复时间(通常小于1纳秒)确保了在高频开关应用中的高效表现。
  同时,由于其低正向电压降,可以显著降低功耗并提高系统效率。
  此外,1SV253具备高可靠性和稳定性,适用于恶劣的工作环境。

应用

1SV253主要应用于高频通信设备,如无线收发器、雷达系统和卫星通信模块中的信号检波与整流。
  它还被广泛用于电源管理电路中的续流保护以及高速数据传输中的钳位电路。
  在消费类电子产品领域,1SV253可用于蓝牙模块、Wi-Fi模块和其他无线连接设备中的关键组件。
  另外,它也适合工业控制系统的高频开关应用,如电机驱动器和逆变器等场景。

替代型号

1SV249
  1SV250
  1SV251
  1SV252

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