时间：2025/9/14 11:54:39
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BUK763R1-60E,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理和功率开关应用而设计。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具备低导通电阻、高耐压能力以及优良的热稳定性，适用于广泛的工作环境。该MOSFET常用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理系统等领域。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：31A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：3.1mΩ（最大值）
功耗(Pd)：100W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
BUK763R1-60E,118 的核心优势在于其卓越的导通性能和高效的开关特性。该器件采用了NXP先进的TrenchMOS技术，确保了极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。在25°C条件下，连续漏极电流可达到31A，能够在高电流负载下保持稳定运行。此外，该MOSFET的栅源电压容限为±20V，使其在不同的驱动条件下都能保持良好的稳定性。其封装设计有助于快速散热，提高了整体系统效率。
该MOSFET具备良好的短路耐受能力，增强了在高应力环境下的可靠性。其175°C的最大工作温度使得它可以在高温环境下运行，无需额外的冷却措施。这使得BUK763R1-60E,118 非常适合用于需要高可靠性和高效率的工业和汽车应用。
此外，该器件符合RoHS环保标准，适合无铅焊接工艺，支持绿色电子产品的开发。
BUK763R1-60E,118 适用于多种高功率和高效率要求的应用场景，包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统、电源管理模块以及汽车电子系统。其优异的导通性能也使其成为服务器电源、工业自动化设备和新能源系统中的理想选择。
IPB045N06N3 G INFINEON, STP30NF06L STMicroelectronics, FDP6670 Fairchild
