时间：2025/4/29 13:36:15
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TF015N03NG是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理应用。
该芯片采用TO-252封装形式，能够承受较高的漏源电压，并且具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：15A
导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ（在VGS=10V时）
总功耗(PD)：78W
结温范围(TJ)：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252
1. 极低的导通电阻确保了高效率和较低的功率损耗。
2. 高速开关性能使其适用于高频电路。
3. 提供强大的电流承载能力，适合大功率应用。
4. 具备出色的热稳定性，能够在高温环境下正常工作。
5. 小巧的封装设计有助于节省PCB空间。
6. 可靠性高，适用于严苛的工作环境。
1. 开关电源(SMPS)中的开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流器。
3. 各种负载开关应用。
4. 电池保护电路。
5. 电机驱动和控制电路。
6. 工业自动化设备中的电源管理模块。
IRFZ44N
STP15NF06L
FDP15N06L
