时间：2025/7/10 12:20:30
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IPD135N08N3G 是一款基于硅技术的 N 沛 MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用 DPAK 封装形式，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率功率转换电路。
其出色的电气性能使其在消费电子、工业设备及汽车电子等领域中广泛应用，例如适配器、充电器、LED 驱动器和 DC-DC 转换器等场景。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：14A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：27nC
开关速度：超高速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DPAK（TO-252）
IPD135N08N3G 的主要特点是具备非常低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。
同时，其栅极电荷较小，可以实现更快的开关速度，从而减少开关损耗。
此外，该器件的工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定运行。
它还具有良好的热性能和电气鲁棒性，能够承受较高的瞬态电压和电流冲击。
由于采用了 DPAK 封装，该器件易于焊接和集成到各种 PCB 设计中。
IPD135N08N3G 广泛应用于需要高效功率转换的领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关管。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. LED 照明驱动电路中的功率调节。
4. 充电器和适配器中的功率管理模块。
5. 工业控制和电机驱动中的功率级组件。
6. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
该器件凭借其高性能表现，成为许多高要求应用的理想选择。
IPB130N08N3G, IRF840, FDP18N10
