PTVSHC3N4V8UA 是一款 N 河道垂直功率 MOSFET,采用 Infineon 的 CoolMOS 技术。该器件设计用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用,具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高能效的特点。它支持高达 400V 的漏源电压,并结合了快速开关特性和坚固的结构,适用于需要高性能和高可靠性的工业及消费类电子领域。
这款 MOSFET 采用了 SMD 封装,便于表面贴装工艺,同时具备卓越的热性能,使其能够适应紧凑型设计。
型号:PTVSHC3N4V8UA
封装:DPAK (TO-263-3)
Vds(漏源电压):400 V
Rds(on)(导通电阻,典型值):75 mΩ
Id(连续漏极电流):12 A
Qg(总栅极电荷):19 nC
EAS(雪崩能量):1.3 J
fSW(最大开关频率):500 kHz
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
PTVSHC3N4V8UA 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 提高了系统的效率,减少了功率损耗。
2. 高速开关能力使得其非常适合高频应用,例如 DC-DC 转换器和 PFC(功率因数校正)电路。
3. 出色的热性能和高结温能力(最高可达 175°C),确保在高温环境下依然保持稳定运行。
4. 内置雪崩保护功能,增强了器件的耐用性和可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球法规要求。
6. 表面贴装封装 (SMD),简化了自动化生产流程并降低了制造成本。
7. 结合 CoolMOS 技术,提供更高的功率密度和更小的解决方案尺寸。
PTVSHC3N4V8UA 广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源 (SMPS):用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中,提供高效的功率转换。
2. 电机驱动:控制直流无刷电机 (BLDC) 或步进电机的速度和方向。
3. 负载开关:实现对不同负载的安全切换,避免过流或短路损害。
4. 工业逆变器:在太阳能逆变器和其他可再生能源系统中作为关键组件。
5. 汽车电子:如车载充电器、LED 照明驱动和车身控制模块。
6. 家用电器:空调、洗衣机、冰箱等设备中的电源管理部分。
IPD060N04S4L, PTVHR10N4V8, IRFP4468