类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：50V
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大导通电阻（RDS(on)）：40mΩ（典型值）
　　最大功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-204（金属封装）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V 至 4V

2N4821具备多个显著的电气和物理特性，使其适用于多种高功率应用场景。首先，其低导通电阻可有效降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体效率并减少散热需求。该器件能够承受较大的漏极电流，确保其在高负载条件下稳定运行。
　　此外，2N4821的金属封装（TO-204）提供了良好的热传导性能，有助于将芯片产生的热量快速传导至外部散热器，从而延长器件寿命并提高可靠性。该封装形式也增强了机械强度，适用于工业环境中的严苛条件。
　　该MOSFET具备较快的开关速度，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、PWM电机控制和音频放大器。同时，其较高的耐压能力（50V）使其适用于多种中压电源管理应用。
　　2N4821还具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作。这使得它适用于需要在极端温度环境下运行的系统，如汽车电子、航空航天和工业控制系统。

2N4821广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 音频功率放大器：作为输出级器件，用于驱动高功率扬声器系统，提供高保真音频输出。
　　2. 电源管理系统：用于DC-DC转换器、电池充电器和稳压电源中，实现高效能量转换。
　　3. 电机控制：用于直流电机驱动电路中，支持PWM调速控制，广泛应用于自动化设备和机器人系统。
　　4. 工业控制：用于PLC（可编程逻辑控制器）、继电器驱动器和工业电源中，提供高可靠性的功率开关功能。
　　5. 汽车电子：用于汽车音响、电动助力转向系统（EPS）和车载电源系统中，满足汽车电子对高可靠性和耐温性能的需求。
　　6. 电源逆变器：用于UPS（不间断电源）和太阳能逆变器中，实现高效的直流到交流能量转换。

IRFZ44N, FDP3045, FQP30N06L, IXTH30N50L