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APT50GN120B2G 发布时间 时间:2022/11/16 17:04:42 查看 阅读:490

    类别:分离式半导体产品

    家庭:IGBT - 单路

    系列:-

    IGBT 类型:NPT、沟道和场截止

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V

    Vge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V, 50A

 

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:IGBT - 单路

    系列:-

    IGBT 类型:NPT、沟道和场截止

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V

    Vge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V, 50A

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):134A

    功率 - 最大:543W

    输入类型:标准型

    安装类型:通孔

    封装/外壳:T-MAX

    包装:管件

    供应商设备封装:T-MAX? [B2]

资料

厂商
Microsemi

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APT50GN120B2G参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT、沟道和场截止
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.1V @ 15V,50A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)134A
  • 功率 - 最大543W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3 变式
  • 供应商设备封装T-MAX? [B2]
  • 包装管件