LDTD113ZWT1G 时间：2025/8/13 6:20:44 阅读：18

LDTD113ZWT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型MOSFET，采用小型表面贴装封装（SOT-23），适用于高频率开关应用和低电压控制电路。该器件设计用于高效能的电源管理和负载开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，适用于便携式电子设备、DC-DC转换器以及电机控制电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100 mA
　　最大漏源电压（VDS）：50 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大250Ω（在VGS=10V）
　　功率耗散：300 mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

LDTD113ZWT1G MOSFET具备多项优异特性，使其在低功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件具有快速开关能力，适用于高频开关电路，从而减少开关损耗并提升整体性能。此外，LDTD113ZWT1G的SOT-23封装形式占用PCB空间小，适合对体积敏感的便携式设备应用。
　　其最大漏源电压为50V，栅源电压范围为±20V，确保了在广泛电压条件下的稳定工作。该器件的额定漏极电流为100mA，适用于低至中功率的负载开关和逻辑电路控制。此外，LDTD113ZWT1G的工作温度范围宽广（-55°C ~ 150°C），可在恶劣环境下稳定运行，提升了其在工业和汽车电子中的适用性。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和抗静电能力，增强了在复杂电磁环境中的可靠性。综合这些特性，LDTD113ZWT1G是一款适用于多种低电压、中低电流应用场景的高性能MOSFET。