时间：2025/8/2 7:35:54
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DMC2041UFDB-7 是由 Diodes 公司生产的一款高性能双极性晶体管（BJT）阵列芯片。该器件集成了两个独立的 NPN 晶体管在一个封装中，适用于需要高频率和低功耗的应用场合。DMC2041UFDB-7 采用小型 SOT-23（SC-59）封装，具有优异的高频响应特性，适用于射频（RF）放大器、开关电路、缓冲器、信号处理和逻辑电平转换等多种电子电路设计。
类型：NPN 双晶体管阵列
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
最大功耗（Pd）：300 mW
电流增益（hFE）：110 - 800（根据档位）
过渡频率（fT）：250 MHz
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23（SC-59）
DMC2041UFDB-7 的两个 NPN 晶体管在同一个封装中，使得它非常适合空间受限的应用，例如便携式设备和高密度 PCB 设计。该器件的高过渡频率（fT）达到 250 MHz，使其在高频放大和射频电路中表现出色。每个晶体管都具有独立的引脚排列，便于灵活的电路设计。电流增益 hFE 的范围较宽，分为不同等级（例如 O档、Y档、GR档等），用户可以根据具体应用需求选择合适的器件。此外，DMC2041UFDB-7 还具有低饱和压降和快速开关特性，适用于数字电路中的高速开关操作。其 SOT-23 封装不仅节省空间，还具备良好的热稳定性和机械强度。
DMC2041UFDB-7 主要用于需要高频操作和低功耗设计的电子系统中。常见的应用包括射频（RF）小信号放大器、缓冲器、开关电路、逻辑电平转换器、LED 驱动电路、模拟信号处理、电源管理模块以及便携式电子产品中的接口电路。由于其双晶体管结构，DMC2041UFDB-7 也适用于构建差分放大器、推挽式输出级和达林顿对管等复杂电路拓扑结构。
BC847BDS-7-F, MMBT2222A-7-F, DMMT2222A-7-F, BC850BDS-7-F
