容量：16 Mbit (2 MB)
　　组织结构：2 x 8 Mbit / 256 K x 8
　　电压范围：3.0 V 至 3.6 V
　　访问时间：120 ns
　　接口类型：并行（地址/数据总线）
　　封装形式：48-pin TSOP
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写保护功能：硬件WP引脚支持
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　命令集：JEDEC标准CFI兼容
　　待机电流：典型值 20 μA
　　读取电流：典型值 20 mA
　　编程/擦除耐久性：10万次
　　数据保持时间：10年 @ 85°C

TE28F016B3B-120具备多项关键特性，使其在嵌入式系统中表现出色。首先，它采用了Intel的StrataFlash技术，支持多级单元（MLC）操作，能够在同一物理存储单元中存储多个比特信息，从而提高存储密度并降低成本。尽管该型号为早期StrataFlash产品，但仍保留了较高的可靠性和稳定性。其内部状态机设计允许主机通过发送简单的命令序列来执行复杂的操作，如字编程、扇区擦除和整片擦除，无需外部控制器干预，大大简化了软件驱动开发。
　　其次，该器件支持完整的JEDEC CFI（Common Flash Interface）标准，使得系统可以动态读取设备的电气特性和时序参数，实现与不同厂商Flash器件的互操作性，增强了系统的可扩展性和维护性。此外，TE28F016B3B-120提供硬件写保护功能，通过WP引脚防止意外写入或擦除操作，提升数据安全性。其低功耗设计支持待机模式，在不使用时显著降低系统能耗，适合电池供电或节能要求高的应用。
　　再者，该Flash芯片具有优异的耐久性和数据保持能力，标称可承受10万次擦写周期，并能在高温环境下（最高85°C）保持数据长达10年，满足工业级环境的应用需求。同时，120ns的访问时间保证了较快的读取速度，支持XIP（eXecute In Place）功能，即直接从Flash中运行程序代码，减少对RAM的依赖，优化系统资源分配。最后，该器件采用成熟的CMOS工艺制造，具备良好的抗干扰能力和长期供货稳定性（尽管目前已停产），是许多 legacy 嵌入式系统中的核心存储组件。

TE28F016B3B-120广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在工业控制领域，常用于PLC控制器、人机界面（HMI）、数据采集模块等设备中，用于存储固件、配置参数和日志信息。在通信设备中，如路由器、交换机、基站控制板等，该芯片可用于存放启动代码（Bootloader）和操作系统映像，支持快速启动和稳定运行。在消费电子产品中，例如机顶盒、多媒体播放器和智能家居控制面板，TE28F016B3B-120提供足够的存储空间来保存应用程序和用户设置。
　　此外，在汽车电子系统中，该器件也被用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示单元和车载信息娱乐系统（IVI），因其具备宽温工作范围和高可靠性，能够适应车辆在极端温度环境下的运行需求。医疗设备中同样可见其身影，如便携式监护仪、诊断设备等，用于存储校准数据和设备固件。由于支持XIP功能，该Flash允许处理器直接从中执行代码，减少了对外部RAM的需求，降低了整体系统成本。尽管该型号已逐渐被 newer NOR Flash 或串行Flash替代，但在许多仍在服役的 legacy 系统中仍发挥着重要作用，尤其在无法轻易更换硬件设计的场景下，维持着系统的持续运行。

S29GL016D90TFI01
　　S29GL016M90TFI01
　　MT28EW016ABA-120
　　W29GL016C-12