LMBZ33VALT1G 时间：2025/8/13 11:53:00 阅读：16

LMBZ33VALT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的表面贴装型齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和参考电压源应用。该器件采用SOD-523封装，具备小型化、低功耗和高稳定性的特点，适用于便携式电子设备、电源管理电路和电压监测系统。LMBZ33VALT1G 的标称齐纳电压为3.3V，适合用于3.3V系统的电压钳位保护。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOD-523
　　齐纳电压（Vz）：3.3V（标称值）
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大齐纳电流（Izmax）：100mA
　　最大功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　正向电压（Vf）：1.2V（典型值，If=10mA）
　　反向漏电流（IR）：100nA（最大值，Vr=1V）

特性

LMBZ33VALT1G 齐纳二极管具备出色的电压稳定性和温度稳定性，能够在较宽的温度范围内保持精确的齐纳电压。其SOD-523封装设计节省空间，适用于高密度PCB布局。此外，该器件的低功耗特性使其在电池供电设备中表现出色。LMBZ33VALT1G 还具有良好的动态阻抗特性，确保在负载变化时输出电压保持稳定。其反向漏电流极低，在1V反向电压下最大仅为100nA，有助于减少系统功耗并提高电路效率。该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。
　　LMBZ33VALT1G 在制造过程中采用了先进的硅扩散工艺，确保了器件的高可靠性和长寿命。它在电源管理、电压参考、信号调节和过压保护等应用中表现出色，是许多3.3V系统中的理想选择。其表面贴装封装也便于自动化生产，提高生产效率和一致性。