类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：500V
　　最大栅极电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：11A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.55Ω
　　最大功耗（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

TV50C110JB-G MOSFET具有多项优良特性，适用于高性能功率应用。其高漏极电压耐受能力（500V）使其适用于高电压系统，同时具备11A的连续漏极电流能力，支持较大的负载功率输出。该器件的导通电阻为0.55Ω，降低了导通损耗，提高了整体能效。此外，该MOSFET的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。
　　在开关性能方面，TV50C110JB-G具有较快的开关速度，适用于高频开关电源应用。其栅极电压范围为±30V，具备一定的过压保护能力。此外，该器件的最大功耗为40W，能够在较高负载下稳定工作。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于各种严苛环境下的应用。
　　TV50C110JB-G还具备良好的热稳定性，内置的寄生二极管可提供反向电流保护，从而增强系统的可靠性。该MOSFET在制造过程中采用了先进的硅工艺，确保了优异的电气性能和长期稳定性。

TV50C110JB-G MOSFET广泛应用于多种功率电子设备中。在电源系统方面，该器件常用于AC-DC和DC-DC转换器，提供高效的能量转换能力。例如，在开关电源（SMPS）设计中，它可用于主开关管或同步整流管，以提高整体能效。此外，该MOSFET也可用于电机驱动电路，如直流电机控制、步进电机驱动和无刷直流电机（BLDC）控制器，其高电流承载能力和快速开关特性使其适用于高频PWM控制。
　　在工业自动化和控制系统中，TV50C110JB-G可用于变频器、伺服驱动器和不间断电源（UPS）等设备，确保系统在高压和大电流条件下的稳定运行。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET也可用于功率调节和电能转换。此外，它还适用于家用电器，如电磁炉、电饭煲和高功率LED驱动电源等，提供稳定可靠的功率控制。

2SK2647, 2SK2545, IRF840, FQA11N50