RF6003TR13 时间：2025/8/16 6:08:34 阅读：27

RF6003TR13 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）制造的射频（RF）功率晶体管，采用 GaAs HBT（Heterojunction Bipolar Transistor）技术制造。这款晶体管专为高功率和高频率应用而设计，适用于无线基础设施、基站、工业和通信系统等场景。RF6003TR13 采用紧凑的表面贴装封装，便于集成到现代射频系统中，同时具备高效率和高线性度的特点。

参数

类型：GaAs HBT 射频功率晶体管
　　频率范围：2.3 GHz 至 2.7 GHz
　　输出功率：60 W（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　效率：约 50%
　　工作电压：28 V
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　阻抗匹配：50 Ω 输入/输出
　　热阻：约 0.35°C/W
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

RF6003TR13 是一款高性能的射频功率晶体管，具有出色的输出功率和效率表现。其 GaAs HBT 技术确保了在高频操作下的稳定性和可靠性。该晶体管的工作频率范围为 2.3 GHz 至 2.7 GHz，适用于多种无线通信应用，包括 LTE 基站、WiMAX 系统和其他宽带通信设备。该器件的高增益（18 dB）和高效率（约 50%）使其在高功率应用中表现出色，同时减少了对散热系统的要求。
　　此外，RF6003TR13 的表面贴装封装设计使其易于集成到现代射频放大器模块中，简化了制造和组装过程。其低热阻（0.35°C/W）有助于提高器件的热稳定性和长期可靠性，确保在高功率操作下的性能一致性。该晶体管还具有良好的线性度，适用于需要高信号完整性的通信系统。
　　该器件的工作温度范围较宽，可在 -40°C 至 +85°C 的环境下稳定工作，适用于各种严苛的工业和户外应用场景。