类型：齐纳二极管
　　齐纳电压（Vz）：6.8V
　　容差：±5%
　　额定功率：200mW
　　最大齐纳电流（Izmax）：30mA
　　测试电流（Izt）：5mA
　　动态阻抗（Zzt）：10Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-323

TDZTR6.8齐纳二极管具备优异的电压稳定性能，其核心特性之一是在规定的电流范围内能够提供非常稳定的反向击穿电压。该器件的标称齐纳电压为6.8V，在5mA的测试电流下表现出良好的电压一致性，并且电压容差控制在±5%以内，确保了在精密电路中的可靠应用。由于采用了先进的半导体制造工艺，该器件具有较低的动态阻抗（典型值为10Ω），这意味着当通过它的电流发生变化时，电压波动极小，从而提高了稳压精度。这一特性使其特别适用于需要高稳定性的电压参考电路，例如模数转换器（ADC）或数模转换器（DAC）的基准源。
　　另一个重要特性是其出色的温度稳定性。TDZTR6.8的温度系数在6.8V附近接近零，这是因为硅基齐纳二极管在5V至8V之间的电压值具有最低的温度漂移，使得该型号成为温度敏感应用的理想选择。相比低于5V的齐纳管（主要依赖齐纳击穿机制）或高于8V的器件（主要依赖雪崩击穿机制），6.8V处于两种机制平衡点，因此在整个工作温度范围内（-55°C至+150°C）都能保持较小的电压偏移。这大大减少了因环境温度变化引起的系统误差，提升了整体电路的可靠性。
　　该器件还具备良好的瞬态响应能力和较高的可靠性。在突发电压波动或负载突变的情况下，TDZTR6.8能够迅速进入稳压状态，抑制电压尖峰，起到一定的过压保护作用。同时，其200mW的额定功率允许在有限的空间内承受一定范围的功耗，结合SOD-323小型封装，非常适合用于便携式设备和高密度PCB布局。此外，该器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HIRB）、湿度敏感性等级（MSL1）认证等，确保在恶劣环境下长期稳定运行。综合这些特性，TDZTR6.8不仅满足基本的稳压需求，还能在高性能、高稳定性要求的应用中发挥关键作用。

TDZTR6.8齐纳二极管广泛应用于多种电子系统中，作为电压参考源、稳压元件和过压保护装置。在电源管理电路中，它常被用于低压直流电源的输出端，以稳定电压并防止后续电路受到电压波动的影响。例如，在LDO（低压差线性稳压器）的反馈网络中，TDZTR6.8可作为分压基准，帮助调节输出电压的精度。此外，在开关电源（SMPS）的辅助绕组反馈回路中，也可用作简单的电压检测和稳压元件，尤其适用于低成本、小功率适配器设计。
　　在模拟信号处理领域，该器件常用于为运算放大器、比较器或数据转换器提供精确的参考电压。由于其在6.8V附近的温度系数极低，能够有效减少温度漂移对测量精度的影响，因此在传感器信号调理电路、工业自动化仪表和医疗监测设备中具有重要价值。例如，在压力传感器或温度变送器中，TDZTR6.8可以为惠斯通电桥供电或作为ADC的基准源，确保采集数据的准确性与一致性。
　　在数字电路中，TDZTR6.8可用于电平钳位和静电放电（ESD）保护。当信号线上出现瞬态高压时，该二极管会迅速导通，将电压限制在6.8V左右，从而保护后级CMOS芯片免受损坏。这种应用常见于通信接口（如UART、I2C、SPI）的输入保护电路中。此外，在电池供电设备中，它可以用于电池电压监测电路，当电压超过安全阈值时触发保护机制。
　　其他应用场景还包括消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、智能家居设备）中的局部稳压，以及汽车电子中的传感器供电和ECU模块中的电压校准。由于其小型封装和无铅兼容性，TDZTR6.8也适用于自动贴片生产线，便于大规模制造。总之，凭借其稳定的电气性能和广泛的适用性，TDZTR6.8已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

MMBZ5237B
　　PZM6.8
　　BZT52C6V8
　　SZLL4736A